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会社名非公開

NAND型フラッシュメモリ、次世代不揮発性メモリ、及びその応用製品(SSD/SDカードなど)の開発・製造・販売

募集要項

仕事の概要

■フラッシュメモリのデバイス開発、または製品開発業務。・デバイス開発:メモリセル設計、トランジスタ設計、デバイス構造設計・製品開発:各専門分野の技術者と連携して開発PJを牽引。
. 開発スケジュールの策定および推進を担当し、開発計画を達成。 フラッシュメモリ製品/テストデバイスの試作・評価業務、製品検証も 行う。※次世代3Dメモリやストレージクラスメモリなど、IoT時代を担う新規 製品開発を牽引するポジションです。

応募資格

◆半導体メモリのデバイス開発・製品開発業務の経験※会話レベルの英語力歓迎(海外アライアンス先との技術折衝有り)
【歓迎する技術・経験】 ロジック混載メモリ開発、メタルゲート・High-k絶縁膜、 トランジスタ信頼性評価、TEC作成・評価、SPICEパラメータ抽出 ※いずれかで強みを備えた方は歓迎致します。

勤務地

神奈川

推定年収

600万円〜1050万円

休日 125日

企業情報

事業内容 NAND型フラッシュメモリ、次世代不揮発性メモリ、及びその応用製品(SSD/SDカードなど)の開発・製造・販売
従業員数 9000人
業種 半導体メーカー

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